TSMC 3nm Plus sürecinde üretilen işlemciler için kolları sıvadı. 2023 yılında yonga seti bölümünde görülmemiş bir sıçrama yaşanacak.
Piyasadaki Apple A14, Samsung Exynos 1080, Kirin 9000, Snapdragon 888 gibi tüm amiral gemisi yongalar bildiğiniz gibi 5nm teknolojisi kullanıyor. Mevcut yol haritasına göre, 5nm önümüzdeki yıl biraz evrim geçirecek. Ancak gerçekten büyük yenilik sunması beklenen 3nm üretim süreci 2022 yılında anca gerçekleşecek. Peki, en büyük değişimi sunacak olan TSMC 3nm Plus sürecine ne zaman geçecek?
2022’de 3nm’lik seri üretimin açıklanmasının ardından Digitimes, TSMC’nin 3nm Plus geliştirilmiş versiyonunun üretimine 2023’te başlamayı planladığını bildirdi. Şaşırtıcı olmayan bir şekilde, Apple yine de ilk müşteri olacak.
Apple’ın adlandırma kuralları değişmeden kalırsa, 2023’teki ilgili A17 işlemcisi iPhone 15’e gücünü verecek. Tabii ki Mac’teki M serisi işlemciler de kesinlikle bu üretim sürecini kullanılacak. O zaman Apple artık Intel işlemcili bir tane bile Mac ürününe sahip olmayacak.
Önceki ifadelere göre, 3nm yüzde 15 performans artışı, yüzde 30 güç tüketimi azalması ve yüzde 70 yoğunluk artışı elde edecek. Ancak 3nm Plus’ın spesifik parametreleri hala belirsiz.
OPPO Find X Snapdragon 888 ile geliyor
TSMC’nin 3nm’si FinFET fin tipi alan etkili transistörleri kullanırken Samsung’un 3nm’si daha gelişmiş GAA surround geçit transistör yaklaşımını kullanıyor. Bu bağlamda TSMC, mevcut FinFET sürecinin maliyet ve enerji verimliliği açısından daha iyi olduğu düşünülüyor. Bu nedenle, ilk 3nm yonga seti FinFET transistör teknolojisini kullanmaya devam edecek. Bununla birlikte, TSMC’nin eski bir rakibi olan Samsung, 3nm düğümünün devredileceğini düşünüyor.
Nisan ayında TSMC, yaklaşan 3nm işlem düğümünün bazı ayrıntılarını açıkladı. Transistör yoğunluğu 250 milyon / mm²’lik yeni bir rekor kırıyor. Referans olarak, TSMC’nin 7nm EUV işlemine sahip Kirin 990 5G 113,31 mm² boyuta, 10,3 milyar transistör yoğunluğuna ve ortalama 90 milyon / mm² değerine sahip olduğunu belirtelim. Bununla birlikte, 3nm işlem transistör yoğunluğu, 7nm işleminin 3.6 katı olacak.
