Samsung, 10nm mimarisinde 8 gigabit DDR4 DRAM yongası için seri üretimine geçti. Yeni çipler önceki nesle oranla yüzde 30 daha hızlı ve yüzde 20 daha verimli olacak.
Samsung, dünyanın ilk 10nm 8 gigabit DRAM üretimine geçtiğini duyurdu. Samsung’a göre bu yeni nesil çipler, bir önceki nesille göre hem daha verimli hem daha hızlı olacak. Eski nesil 20nm ile üretilirken , yeni nesil 10nm teknolojisiyle hayat buldu.
3.200 megabit veri aktarım hızı olan yeni bellekler yüzde 20 oranda daha az güç kullanacak. Bunun anlamı 2.400 megabit kapasiteli 20nm eski belleklerden çok daha performanslı olması.
Samsung’un en büyük rakipleri SK Hynix ve Micron Technology bu yeni gelişme yüzünden geri kalacaklar. SK Hynix 18nm DRAM çiplerini önümüzdeki yıl tüketiciye ulaştırma planı yaparken, Micron Technology ise 16nm yongaları ile Samsung’a rakip olmak istiyordu.
Yeni 10nm sınıfı DRAM’ler dizüstü bilgisayarlar ve kurumsal sunucular için 4GB ile 128GB arasında değişen miktarda kullanıcılara sunulacak.
