Galaxy S26 Edge hakkında son dönemde gündeme gelen söylentilerin çoğu pil kapasitesine odaklanmış olsa da, yeni bir Geekbench listesi cihazın kalbinde yer alacak işlemciyi netleştirdi.
Samsung’un bir sonraki ince ve hafif amiral gemisi Galaxy S26 Edge, Qualcomm’un yakında tanıtacağı Snapdragon 8 Elite 2 yonga setiyle güçlenecek. Testte görülen SM-S947U model numarası, cihazın muhtemelen ABD versiyonuna ait. Liste, yeni çipin ilk performans sonuçlarını da ortaya koyuyor. Ancak bunun üretim öncesi bir prototip olduğunun altını çizmek gerek; bu nedenle nihai satışa sunulacak modellerde puanların daha da yüksek olması bekleniyor.
Snapdragon 8 Elite 2, 2 adet 4,74 GHz hızında çalışan ana çekirdek ve 6 adet 3,63 GHz hızında performans çekirdeği barındıran sekiz çekirdekli bir CPU mimarisi kullanıyor. Bu değerler, önceki SD Elite modelinin 4,32 GHz ve 3,53 GHz hızlarının üzerinde. Geçtiğimiz ayki sızıntılara göre Qualcomm, çipi standart versiyonda 4,6 GHz’e, Galaxy’ye özel versiyonda ise 4,74 GHz’e kadar hız aşırtma ile test ediyor.
Benchmark sonuçlarına göre Galaxy S26 Edge, tek çekirdekte 3.393, çok çekirdekte 11.515 puan elde etti. Bu skorlar, Galaxy S25 Edge’in 3.131 ve 9.391 puanına kıyasla sırasıyla %8 ve %22’lik bir performans artışı anlamına geliyor. Qualcomm’un Snapdragon 8 Elite 2 işlemcisini önümüzdeki ay resmen tanıtması bekleniyor.
